Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB019N08N3
IPB019N08N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1, 80V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 180A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.9mΩ (10V, 100A'de) düşük RDS(On) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 300W maksimum güç dağıtabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok