Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB019N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB019N06L3
IPB019N06L3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB019N06L3GATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, düşük on-state direnci (1.9mΩ @ 100A, 10V) ve hızlı anahtarlama özelliği ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. LED sürücüleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilen komponenttir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 250W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 196µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok