Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB017N10N5
IPB017N10N5ATMA1 Hakkında
IPB017N10N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygundur. 1.7mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük kayıpları sağlar. TO-263-7 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 375W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile yüksek güçlü uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 279µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok