Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB017N08N5
IPB017N08N5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB017N08N5ATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel power MOSFET'tir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(On) değeri (1.7mΩ @ 100A, 10V) ile güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, motor kontrol, invertör devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. 375W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde yüksek frekanslı uygulamalara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16900 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok