Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB017N06N3
IPB017N06N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB017N06N3GATMA1, 60V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET'tir. 180A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 1.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 275nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, şarj kontrol devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 250W'a kadar güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok