Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB015N04LG
IPB015N04LGATMA1 Hakkında
IPB015N04LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 40V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 120A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.5mΩ düşük on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybı minimuma indirilir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. Motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 346 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok