Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB014N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB014N06N
IPB014N06NATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPB014N06NATMA1, 60V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı 34A (Ta) / 180A (Tc) olup, 1.4mΩ (10V, 100A) düşük RDS(on) direnciyle karakterizedir. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor sürücü tasarımlarında kullanılır. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C arasında endüstriyel ve otoomotiv ortamlarında güvenilir performans sağlar. 106nC gate şarjı ve düşük giriş kapasitansı (7800pF @ 30V), hızlı anahtarlama ve verimli enerji transferi mümkün kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 143µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok