Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB011N04NG
IPB011N04NGATMA1 Hakkında
IPB011N04NGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 40V Vdss ile 180A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (1.1mΩ @ 100A, 10V) sayesinde enerji dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama regülatörleri ve elektrik aracı batarya yönetim sistemleri gibi yüksek akım gerektiren anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok