Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB011N04LG
IPB011N04LGATMA1 Hakkında
IPB011N04LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.1mΩ maksimum On-direnci (Rds On) düşük enerji kaybı sağlar. TO263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 250W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 346 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok