Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB010N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB010N06NA
IPB010N06NATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB010N06NATMA1, 60V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 45A sürekli dren akımı (Ta) ve 180A dren akımı (Tc) kapasitesiyle, güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 300W güç yayılımı özelliğine sahiptir. Motor sürücüler, güç kaynakları, elektrik araçları ve ağır yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 208 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok