Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB009N03LGA
IPB009N03LGATMA1 Hakkında
IPB009N03LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 180A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 0.95mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması, motor denetimi, güç kaynakları ve enerji dönüştürme devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate şarj kapasitesi 227nC olup hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir. SMD montajı için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 227 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok