Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAW70R950CEXKSA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAW70R950C
IPAW70R950CEXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAW70R950CEXKSA1, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel Power MOSFET transistördür. 700V drain-source voltaj (Vdss) ve 7.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile endüstriyel güç elektronikleri, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 950mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına kolay entegrasyon yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok