Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAW60R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAW60R600P7
IPAW60R600P7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAW60R600P7SXKSA1, N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, invertörler ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) direnci ile verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, 21W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok