Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAW60R600CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAW60R600C
IPAW60R600CEXKSA1 Hakkında
IPAW60R600CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisini kullanan bu bileşen, 10.3A sürekli dren akımı ve 600mOhm maksimum Rds(on) değeriyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketine sahip olan komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 28W güç taşıyabilir ve ±20V maksimum gate-source gerilimi destekler. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 444 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok