Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPAW60R380CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPAW60R380CE

IPAW60R380CEXKSA1 Hakkında

IPAW60R380CEXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu komponent, Super Junction teknolojisi kullanılarak tasarlanmıştır. 380mΩ on-dirençi (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. 32nC gate charge değeri hızlı anahtarlama uygulamalarına elverişlidir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve diğer yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 31W maksimum güç dağılımı kapasitesi, çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 320µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok