Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAW60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAW60R360P7
IPAW60R360P7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAW60R360P7SXKSA1, 650V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli drain akımı ve 22W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile DIP montajı destekler. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 360mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük iletkenim kaybını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok