Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAW60R280CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAW60R280CE
IPAW60R280CEXKSA1 Hakkında
IPAW60R280CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisine sahip bu bileşen, 19.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. Endüstriyel güç yönetimi, anahtarlama devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi, geniş sıcaklık toleransı gerektiren ortamlarda kullanılmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Variant |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok