Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAW60R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAW60R190CEXKSA1
IPAW60R190CEXKSA1 Hakkında
IPAW60R190CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Super Junction MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 26.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 190mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışır ve 34W maksimum güç dağıtabilir. Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, AC/DC konverterler, boost dönüştürücüler ve endüstriyel güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Super Junction teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok