Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAW60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAW60R180P7
IPAW60R180P7SXKSA1 Hakkında
IPAW60R180P7SXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek için tasarlanmıştır. TO-220 paketinde sunulan transistör, güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, endüstriyel kontrol sistemleri ve enerji yönetim devrelerinde kullanılır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük gate kapasitanesi ve hızlı anahtarlama özellikleri ile verimli devre tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok