Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN80R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN80R360P7
IPAN80R360P7XKSA1 Hakkında
IPAN80R360P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 800V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 13A sürekli drain akımı ve 360mΩ (10V, 5.6A) on-state direnci ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışan bu MOSFET, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, AC/DC dönüştürücülerde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 30nC gate charge ve 930pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. ±20V gate voltaj toleransı ve 3.5V threshold voltajı ile geniş uygulama alanında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok