Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN80R280P7
IPAN80R280P7XKSA1 Hakkında
IPAN80R280P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V/17A N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 280mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletiş kaybı sağlar. Drain akımı 17A, maksimum güç tüketimi 30W'tır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok