Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN70R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN70R600P7
IPAN70R600P7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN70R600P7SXKSA1, 700V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel Power MOSFET'tir. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 8.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 600mOhm on-state direnci ile power conversion, motor kontrol ve industrial switching uygulamalarında kullanılmaktadır. 10V gate drive voltajında çalışan transistör, -40°C ile 150°C arasında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 10.5nC olup, düşük input kapasitansi ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok