Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN70R450P7
IPAN70R450P7SXKSA1 Hakkında
IPAN70R450P7SXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 700V drain-source voltaj kapasitesi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 22.7W güç dissipasyonu kapasitesi ile güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -40°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş tasarım, endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 424 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok