Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPAN70R360P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPAN70R360P7

IPAN70R360P7SXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN70R360P7SXKSA1, 700V drain-source voltaj dayanımına sahip bir N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 12.5A kontinü drain akımı ve 360mOhm on-resistance değerleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında yüksek voltajlı güç dönüştürme, anahtarlı güç kaynakları (SMPS), motorlu sürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 16.4nC gate charge değeri, hızlı anahtarlama sürelerini ve düşük kapı sürüş güç gereksinimlerini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 517 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 26.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok