Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN65R650CE
IPAN65R650CEXKSA1 Hakkında
IPAN65R650CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 10.1A sürekli drenaj akımı ve 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ile karakterizedir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, AC-DC dönüştürücülerde, DC-DC konvertörlerde ve indüktif yük kontrolü gerektiren endüstriyel sistemlerde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 28W maksimum güç tüketimi ile ısıl yönetimi daha kolay hale getirir. 23nC gate charge ve 440pF input capacitance özellikleri, hızlı anahtarlama işlemleri ve düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok