Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN60R800CE
IPAN60R800CEXKSA1 Hakkında
IPAN60R800CEXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel Super Junction MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 8.4A continuous drain akımı ve 800mOhm on-resistance değerleri ile tasarlanmıştır. 10V gate drive voltajında çalışan cihaz, 17.2nC gate charge ve 373pF input capacitance özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -40°C ile 150°C arasında stabil çalışması, güç kaynakları, motor kontrol, aydınlatma ve endüstriyel konvertör uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. Maksimum 27W güç tüketim kapasitesi ile orta seviye power elektronik devrelerde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok