Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN60R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN60R650C
IPAN60R650CEXKSA1 Hakkında
IPAN60R650CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel Super Junction MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 9.9A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar kontrolü görevini yerine getirmek için tasarlanmıştır. TO-220-3 paket formatında sunulan transistör, güç elektoniği, konvertör devreleri, motor denetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 650mΩ maksimum on-direnci ile verimli enerji yönetimi sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok