Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN60R360PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN60R360PFD
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN60R360PFD7SXKSA1, 650V drain-source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevi üstlenir. 360mΩ RDS(on) değeri ile veri işleme sırasında düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve gerilim dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 534 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok