Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN60R360P7
IPAN60R360P7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN60R360P7SXKSA1, 650V dayanımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-220 kasa tipi ile montajı kolaydır. 360mΩ'luk on-resistance değeri, düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. SMPS, inverter, motor sürücü ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde uygulanabilir. 10V kapı-kaynak gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok