Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN60R280PFD7SXKSA1
CONSUMER PG-TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN60R280PFD7SXKSA1
IPAN60R280PFD7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN60R280PFD7SXKSA1, 600V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 25°C'de 12A sürekli dren akımı ve 280mOhm düşük on-state direnç değeri ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim kapasitesi, 656pF input kapasitans (400V'de) ve 15.3nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışır ve 24W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 656 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok