Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN60R280P7
IPAN60R280P7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN60R280P7SXKSA1, N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimliliği sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, switching power supplies ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. -40°C ile 150°C arasında stabil çalışma sağlayan bileşen, 24W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 761 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok