Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN60R210PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN60R210PFD7
IPAN60R210PFD7SXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN60R210PFD7SXKSA1, 650V drain-source voltajına ve 16A sürekli drain akımına sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 210mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge 23nC ve threshold voltajı 4.5V olup, 10V sürme voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1015 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok