Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPAN50R500CE
IPAN50R500CEXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPAN50R500CEXKSA1, 500V drain-source voltajında çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 11.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 500mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybında çalışmaya uygundur. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 18.7nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok