Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA95R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 14A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA95R450P7XKSA1

IPA95R450P7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA95R450P7XKSA1, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 950V drain-source voltajı ve 14A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüşüm devrelerinde, sürücü devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 450mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ve 35nC kapı yükü değerleri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir. İletim kontrollü voltaj regülatörlerinde, inverter devrelerinde ve yüksek voltajlı anahtarlama sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1053 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok