Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA95R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA95R1K2P7
IPA95R1K2P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA95R1K2P7XKSA1, 950V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevlerini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. 27W maksimum güç dissipasyonu ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel anahtarlama devreleri, AC-DC dönüştürücüler, enerji yönetim sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaya uyygundur. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok