Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA90R800C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA90R800C3
IPA90R800C3XKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA90R800C3XKSA2, 900V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.9A sürekli drain akımı kapasitesine ve 800mOhm (10V, 4.1A) on-state direncine sahiptir. 42nC gate charge ve 1100pF input capacitance ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüleri, enerji yönetimi sistemleri, solar inverterler ve diğer yüksek voltaj güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 460µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok