Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA90R800C3
IPA90R800C3XKSA1 Hakkında
IPA90R800C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. TO-220-3 paket türü ile through-hole montajına uygun olup, endüstriyel enerji dönüşüm devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 800mΩ RDS(on) değeri ve 33W güç disipasyonu kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 460µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok