Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA90R800C3

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA90R800C3

IPA90R800C3 Hakkında

IPA90R800C3, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.9A sürekli dren akımı kapasitesine ve 800mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 33W maksimum güç yayınlayabilir. Yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler ve motorlar kontrol sistemlerinde kullanılan endüstriyel bir MOSFET çözümüdür. ±20V gate voltaj kapasitesi ve 3.5V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 460µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok