Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA90R500C3XKSA2

MOSFET N-CH 900V 11A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA90R500C3

IPA90R500C3XKSA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA90R500C3XKSA2, 900V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 11A sürekli drenaj akımı ve 500mΩ on-state direnci ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar işlevi görmek üzere kullanılır. Özellikle yüksek gerilim DC/DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri, elektrik koruma devreleri ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme yeteneği ile geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 68nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliğine işaret eder.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 740µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok