Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA90R1K0C3
IPA90R1K0C3XKSA1 Hakkında
IPA90R1K0C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V Drain-Source gerilimi ve 5.7A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve elektrik dönüştürme uygulamalarında yer alır. 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 32W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge 34nC @ 10V'tur. Mevcut stok durumu sonlandırılmış (Obsolete) olup, yedek veya alternatif çözümler gerekebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok