Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R650CEXKSA1
IPA80R650CEXKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA80R650CEXKSA2, 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 650mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. 45nC gate charge ve 1100pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile 150°C arasında stabil çalışan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 33W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok