Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R650C
IPA80R650CEXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA1, 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 650mOhm RDS(on) direnci ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor denetleyicileri ve endüstriyel dönüştürücülerde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate sürüş voltajı ile kontrol edilir ve 45nC gate yükü özelliğine sahiptir. Bileşen üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok