Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R600P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R600P7XKSA1
IPA80R600P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA80R600P7XKSA1, 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8A sürekli dren akımı ve 600mΩ maksimum RDS(on) direnci ile tasarlanmıştır. 10V gate sürüş voltajında çalışan cihaz, ±20V maksimum gate voltajı toleransı sunar. 20nC gate yükü ve 570pF input kapasitansiyle hızlı anahtarlama özellikleri olan transistör, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında 28W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynağı devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok