Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R460CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R460CEXKSA2
IPA80R460CEXKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA80R460CEXKSA2, 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 25°C'de 10.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 460mΩ (10V, 7.1A) on-state direncine ve 64nC gate charge değerine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 34W maksimum güç hızını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok