Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R460CEXKSA1
IPA80R460CEXKSA1 Hakkında
IPA80R460CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim dayanımı ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 460mΩ on-direnç (RDS(on)) değeri ile enerji dönüştürme devrelerinde verimliliği sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, dc-dc dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 34W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan komponent, endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur. Üretim durdurulmuş olup, stok malzeme olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok