Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R310CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 16.7A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R310CEXKSA2
IPA80R310CEXKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA80R310CEXKSA2, 800V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 16.7A sürekli drenaj akımı ve 310mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç kontrolü sağlar. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, ışık dimeri uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi çeşitli elektronik sistemlerde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 35W güç dissipasyonuna kadir durumdadır. 91nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2320 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok