Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA80R280P7

IPA80R280P7XKSA1 Hakkında

IPA80R280P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisine sahip bu bileşen, 17A sürekli drenaj akımı ve 280mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) ile çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı konverter tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 30W maksimum güç kaybı kapasitesi ve düşük gate yükü (36nC) ile verimli devresel tasarıma imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 500 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok