Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R1K4P7
IPA80R1K4P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA80R1K4P7XKSA1, 800V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 4A sürekli dren akımında ve 10V gate geriliminde 1.4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücü devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 24W maksimum güç harcaması ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. 10 nC gate charge ve 250 pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok