Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R1K4CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R1K4CE
IPA80R1K4CEXKSA2 Hakkında
Infineon IPA80R1K4CEXKSA2, 800V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 3.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kayıplarını minimize eder. TO-220-3 paket tipi ile standart PCB'lere direkt monte edilebilir. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır; şebeke güç kaynakları, endüstriyel inverter devreleri ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında güvenli çalışmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok