Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R1K4CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R1K4CE
IPA80R1K4CEXKSA1 Hakkında
IPA80R1K4CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltaj ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) sayesinde zorlu ortam koşullarında tercih edilir. Endüstriyel denetim sistemleri, enerji kaynakları (PSU), motor sürücüleri ve high-voltage switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen Digi-Key'de artık temin edilememekte olup, stok kontrol edildikçe elde bulunabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok